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申请/专利权人：湘潭大学
摘要：本发明属于铁电薄膜技术领域。本发明提供了一种共掺杂氧化铪基铁电薄膜及其制备方法，共掺杂氧化铪基铁电薄膜的分子式为Hf1‑x‑yMxNyO2，其中，掺杂元素M和掺杂元素N独立的为镧系元素、锆、钇、铝、钽、镁、钙、锶或钡，且M和N为不同元素，x的取值范围为0.05～0.49，y的取值范围为0.001～0.01。本发明制得的共掺杂氧化铪基铁电薄膜与单元素掺杂氧化铪基薄膜相比，单斜相的含量降低，正交相的含量升高，铁电性和耐久性提高。本发明采用化学溶液法制备氧化铪基铁电薄膜能够实现多种元素掺杂以及各元素成分比例的控制，制备成本低，制得的铁电薄膜均匀性好、粗糙度小、无微裂纹。
主权项：1.一种共掺杂氧化铪基铁电薄膜，其特征在于，共掺杂氧化铪基铁电薄膜的分子式为Hf1-x-yMxNyO2；其中，掺杂元素M和掺杂元素N独立的为镧系元素、锆、钇、铝、钽、镁、钙、锶或钡，且M和N为不同元素；x的取值范围为0.05～0.49，y的取值范围为0.001～0.01。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湘潭大学 一种共掺杂氧化铪基铁电薄膜及其制备方法
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