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申请/专利权人：北京印刷学院
摘要：本公开提出一种D‑A‑C‑A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及其合成方法与应用，属于半导体材料技术领域。D‑A‑C‑A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物的结构通式如下：其中，R为碳原子总数为1‑10的直链烷基或碳原子总数为10‑32的支链烷基，Ar为芳基、杂芳基、含有取代基的芳基和含有取代基的杂芳基中的任意一种，a和b选自0‑1之间的小数，且a与b之和等于1，n代表聚合物的重复单元个数，选自1‑5000的自然数。本公开通过将该共轭断裂间隔物链段引入D‑A型半导体聚合物的分子结构中，以此达到改善其可拉伸性能、迁移率和可降解性能的目的。
主权项：1.一种D-A-C-A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物，其特征在于，所述D-A-C-A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物的结构通式如下： 其中，R为碳原子总数为1-10的直链烷基或碳原子总数为10-32的支链烷基，Ar为芳基、杂芳基、含有取代基的芳基和含有取代基的杂芳基中的任意一种，a和b选自0-1之间的小数，且a与b之和等于1，n代表聚合物的重复单元个数，选自1-5000的自然数。
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百度查询： 北京印刷学院 D-A-C-A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及合成方法与应用
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