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申请/专利权人：河北工业大学
摘要：本发明为一种具有倾斜侧壁和混介质层ODR的深紫外发光二极管及其制备方法。该发光二极管外延结构由下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、N‑型AlGaN层；其中，N‑型AlGaN层分为两部分，第二部分为截锥；截锥上依次覆盖有多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型AlGaN层、P‑型GaN层、P‑型欧姆接触层；台面结构的侧壁，以及延展到周边的N‑型AlGaN层的第一部分的上表面，覆盖有一层低折射率介质层；低折射率介质层外部覆盖有高折射率介质层、金属反射镜电极。本发明可以减少金属反射镜的吸收，反射率增加，从而提高深紫外LED的TM极性光的光提取效率。
主权项：1.一种具有倾斜侧壁和混介质层ODR的深紫外发光二极管，其特征为该发光二极管的外延结构由下至上依次包括：衬底、AlN缓冲层、N-型AlGaN层；其中，N-型AlGaN层分为两部分，第二部分为截锥，位于第一部分上表面的中间，其投影面积为下部面积的10～90％；N-型AlGaN层的第二部分的上表面，由下到上，依次覆盖有多量子阱层、P-型电子阻挡层、P-型AlGaN层、P-型GaN层、P-型欧姆接触层；而且这些层均为具有和N-型AlGaN层第二部分相同倾斜角度的截锥，共同形成器件的台面结构；台面结构的侧壁，以及延展到周边的N-型AlGaN层的第一部分的上表面，覆盖有一层低折射率介质层；低折射率介质层外部覆盖有高折射率介质层；金属反射镜电极覆盖在P-型欧姆接触层的上表面、高折射率介质层侧壁外部并延伸到部分水平的上表面；N-型AlGaN层的第一部分未覆盖有低折射率介质层部分的上表面为N-型欧姆电极；所述的N-型欧姆电极水平部分的面积为N-型AlGaN层中非截锥部分的10～80％；所述的金属反射镜电极的材料为Al，厚度为50～200nm；所述的低折射率介质层的材料为Al2O3或SiO2，厚度介于50～100nm之间；所述的高折射率介质层的材料为金刚石或Si3N4，厚度介于10～50nm之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 河北工业大学 一种具有倾斜侧壁和混介质层ODR的深紫外发光二极管及其制备方法
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