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申请/专利权人：金瑞泓科技(衢州)有限公司
摘要：本发明涉及一种解决化腐颗粒雾的硅研磨片清洗方法及其清洗装置，包括以下具体步骤：S1：第一次清洗，磨片清洗液采用NaOH‑TSC复合清洗液，选择超声波清洗，且超声波的频率为28KHz；S2：第二次清洗，磨片清洗液采用NaOH‑TSC复合清洗液，选择超声波清洗，且超声波的频率为40KHz：第三次清洗，磨片清洗液采用纯水，选择超声波清洗，且超声波的频率为40KHz，磨片清洗平台的旋转速度为10rpm，清洗过程中复合清洗液的温度在选择室温温度。本实用具有改善局部SFQR偏大的问题、减轻大面积粘舟并降低大崩边的出现频率，提高良率等特点。
主权项：1.一种解决化腐颗粒雾的硅研磨片清洗方法，其特征在于：包括以下具体步骤：S1：第一次清洗，磨片清洗液采用NaOH-TSC复合清洗液，选择超声波清洗，且超声波的频率为28KHz，磨片清洗平台的旋转速度为10rpm，清洗过程中复合清洗液的温度在55～65℃之间，NaOH-TSC复合清洗液的比例为：NaOH：TSC：纯水＝3～5：0.3～0.5：60～70；S2：第二次清洗，磨片清洗液采用NaOH-TSC复合清洗液，选择超声波清洗，且超声波的频率为40KHz，磨片清洗平台的旋转速度为10rpm，清洗过程中复合清洗液的温度在55～65℃之间，NaOH-TSC复合清洗液的比例为：NaOH：TSC：纯水＝3～5：0.3～0.5：60～70；S3：第三次清洗，磨片清洗液采用纯水，选择超声波清洗，且超声波的频率为40KHz，磨片清洗平台的旋转速度为10rpm，清洗过程中复合清洗液的温度在选择室温温度；S4：第四次清洗，磨片清洗液采用NaOH-TSC复合清洗液，选择超声波清洗，且超声波的频率为80KHz，磨片清洗平台的旋转速度为10rpm，清洗过程中复合清洗液的温度在65～75℃之间，NaOH-TSC复合清洗液的比例为：NaOH：TSC：纯水＝3～5：0.3～0.5：60～70；S5：第五次清洗，磨片清洗液采用纯水，选择超声波清洗，且超声波的频率为80KHz，磨片清洗平台的旋转速度为10rpm，清洗过程中复合清洗液的温度在选择室温温度。
全文数据：
权利要求：
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