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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
摘要：本发明涉及一种适用于抗辐射DC‑DC变换器全国产化有源箝位驱动装置及方法。该装置包括PWM控制器、驱动信号时序调理电路、驱动信号增强电路和箝位驱动信号电路。驱动信号时序调理电路，用于产生两路驱动信号，并调理两路驱动信号之间时序。驱动信号增强电路，用于提高来自驱动信号时序调理电路的驱动电平，并增强MOSFET功率器件的驱动能力。箝位驱动信号电路，用于驱动低边箝位P沟道MOSFET功率器件和主功率N沟道MOSFET功率器件。本发明在实现主功率N沟道MOSFET功率器件和低边箝位P沟道MOSFET功率器件正常工作的同时，也保证两路栅极驱动信号之间有足够大的安全裕量，确保在高频条件下，电路中的寄生参数引起的延时振荡不会造成两路功率器件共同导通。
主权项：1.一种适用于抗辐射DC-DC变换器全国产化有源箝位驱动装置，其特征在于，该装置包括PWM控制器、驱动信号时序调理电路、驱动信号增强电路和箝位驱动信号电路；所述驱动信号时序调理电路的输入端连接所述PWM控制器的驱动信号输出端，输出端连接驱动信号增强电路的输入端；所述驱动信号时序调理电路，用于产生两路驱动信号，并调理两路驱动信号之间时序；所述驱动信号增强电路的输入端连接所述驱动信号时序调理电路的输出端，输出端连接所述低边箝位驱动信号电路的输入端；所述驱动信号增强电路，用于提高来自驱动信号时序调理电路的驱动电平，并增强MOSFET功率器件的驱动能力；所述箝位驱动信号电路的输入端连接所述驱动信号增强电路的输出端，输出端连接MOSFET功率器件；所述箝位驱动信号电路，用于驱动低边箝位P沟道MOSFET功率器件和主功率N沟道MOSFET功率器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十三研究所 适用于抗辐射DC-DC变换器全国产化有源箝位驱动装置及方法
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