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申请/专利权人：日月新半导体(苏州)有限公司
摘要：本发明提出的一种集成电路凸块制造工艺及方法，通过创新的双层凸块堆叠技术，来实现节约金用量，第一次电镀形成凸块的基础层，其高度达到需求高度的12至23，而面积保持不变；第二次电镀则进一步增加凸块的高度，达到需求高度的13至12，同时减小凸块的面积至需求面积的12至23，这种双层堆叠的方式不仅保持了凸块的整体性能，而且通过减少金材料的使用量，实现了成本的有效节约，采用本发明的方法可以节约封装金用量10％‑25％，显著降低了IC封装的成本，提高了产品的市场竞争力，此外，本发明的方法还具有工艺简单、操作方便、易于规模化生产等优点，非常适合应用于RFIDIC等后端凸块封装领域，具有良好的应用前景和商业价值。
主权项：1.一种集成电路凸块制造工艺及方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、UBM沉积：在晶圆表面先沉积TiW层，再沉积Au层；S2、第一次光阻涂布：在Au层上涂布光刻胶；S3、第一层曝光：将掩膜上的图案通过紫外光曝光到光刻胶上；S4、第一次显影：去除未曝光的光刻胶，形成凸块图案；S5、光阻固化：通过热处理使光刻胶硬化，增强光阻的结合力；S6、第一次电镀：进行第一次电镀形成凸块，所述第一次电镀形成凸块的高度为需求高度的12-23，所述一次电镀凸块的面积与需求面积相同；S7、第一次去胶：除去光刻胶，露出未被焊料覆盖的UBM层；S8、第二次光阻涂布：在Au层和凸块上涂布光刻胶；S9、第二层曝光：再次曝光以形成更精细的凸块图案；S10、第二次显影：去除第二次光刻胶的未曝光部分，进一步细化凸块图案；S11、光阻再次固化：再次硬化光刻胶；S12、第二次电镀：进行第二次电镀凸块，所述第二次电镀形成的凸块的高度为需求高度的13-12，所述第二次电镀凸块的面积为需求面积的12-23；S13、第二次去胶：再次除去光刻胶，露出未被焊料覆盖的UBM层；S14、Au蚀刻：去除多余的Au层；S15、TiW蚀刻：去除多余的TiW层；S16、退火：释放凸块应力，并使凸块硬度达到需求。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日月新半导体(苏州)有限公司 一种集成电路凸块制造工艺及方法
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