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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：一种利用原子层控制各向同性地蚀刻在衬底上的膜的方法包括：a提供包括选自硅Si、锗Ge和硅锗SiGe的材料的衬底。所述方法还包括b通过以下方式在处理室中在所述材料上沉积牺牲层：冷却所述衬底的下部；执行在所述处理室中产生含氧化剂的等离子体或向所述处理室中供应所述含氧化剂的等离子体中的一者；以及使用快速热加热将所述衬底的表面温度提高持续预定的时间段，同时在所述处理室中产生所述含氧化剂的等离子体或供应所述处理室中的所述含氧化剂的等离子体。所述方法还包括c吹扫所述处理室。所述方法还包括d通过向所述处理室中供应蚀刻气体混合物并在所述处理室中激励等离子体来蚀刻所述牺牲层和所述材料。
主权项：1.一种利用原子层控制各向同性地蚀刻在衬底上的膜的方法，其包括：a提供衬底，所述衬底包含选自由硅Si、锗Ge和硅锗SiGe组成的组的膜；b通过以下方式在处理室中在所述膜上沉积牺牲层：冷却所述衬底的下部；在所述处理室中产生含氧化剂的等离子体或向所述处理室中供应含氧化剂的等离子体；以及使用快速热加热将所述衬底的表面温度提高持续预定的时间段，同时在所述处理室中产生所述含氧化剂的等离子体或供应所述处理室中的所述含氧化剂的等离子体；c吹扫所述处理室；以及d通过向所述处理室中供应蚀刻气体混合物并在所述处理室中激励等离子体来蚀刻所述牺牲层和所述膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 利用原子层控制各向同性蚀刻膜
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