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申请/专利权人：寒序科技(北京)有限公司
摘要：本申请提供一种数据转移电路、SRAM存储电路、近存卷积运算单元及芯片系统，所述数字转移电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述存储电路的第一位线连接；所述第二晶体管的栅极与所述存储电路的第二位线连接；所述第一晶体管的第一极与所述第四晶体管的第一极连接；所述第二晶体管的第一极与所述第三晶体管的第一极连接；所述第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第二极分别与地连接；所述第三晶体管的第二极与所述存储电路的第一选择线连接；所述第四晶体管的第二极与所述存储电路的第二选择线连接；所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极分别与第一控制信号连接。
主权项：1.一种数据转移电路，其特征在于，所述数据转移电路用于辅助与所述数据转移电路连接的数据存储电路进行数据转移；所述数字转移电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述存储电路的第一位线连接；所述第二晶体管的栅极与所述存储电路的第二位线连接；所述第一晶体管的第一极与所述第四晶体管的第一极连接；所述第二晶体管的第一极与所述第三晶体管的第一极连接；所述第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第二极分别与地连接；所述第三晶体管的第二极与所述存储电路的第一选择线连接；所述第四晶体管的第二极与所述存储电路的第二选择线连接；所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极分别与第一控制信号连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 寒序科技(北京)有限公司 数据转移电路、SRAM存储电路、近存卷积运算单元及芯片系统
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