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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明公开了一种基于忆阻交叉阵列的长短时记忆自主转换电路，属于电路设计领域。包括短时记忆网络、长时记忆网络、长期刺激判定电路和记忆转换电路；所述短时记忆网络包括第一忆阻交叉阵列，所述长时记忆网络包括第二忆阻交叉阵列。利用忆阻交叉阵列的并行处理能力极大地提高了网络的计算速度，而具有记忆功能的忆阻则为长短时记忆转换提供了良好的实现方案；忆阻交叉阵列阻值可编程的特点丰富了网络的应用场景，使得长短时记忆转换成为可能的同时，还可以利用其扩展成不同的神经网络结构，从而打破传统网络功能的单一性；同时依靠长期刺激判定电路实现对外界刺激是否属于长期刺激的判定，并通过记忆转换电路解决短时记忆向长时记忆的转换问题。
主权项：1.一种基于忆阻交叉阵列的长短时记忆自主转换电路，其特征在于，包括短时记忆网络、长时记忆网络、长期刺激判定电路和记忆转换电路；所述短时记忆网络包括第一忆阻交叉阵列，所述长时记忆网络包括第二忆阻交叉阵列；所述长期刺激判定电路包括n个差分运算模块、n个绝对值模块、求和比较模块以及控制模块，其中n为大于等于3的整数；所述n个差分运算模块的输出端与所述n个绝对值模块的输入端对应连接，所述n个绝对值模块的输出端均连接到所述求和比较模块的输入端，所述求和比较模块的输出端与所述控制模块的输入端连接；所述控制模块的输出电压决定第一忆阻交叉阵列和第二忆阻交叉阵列的行和列是否选通；所述记忆转换电路包括依次连接的读电路模块、长短时记忆模块和写电路模块；所述读电路模块从所述第一忆阻交叉阵列读取短时记忆并转化为短时记忆电压，所述长短时记忆模块将短时记忆电压转化为长时记忆电压，所述写电路模块将长时记忆电压写入所述第二忆阻交叉阵列中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种基于忆阻交叉阵列的长短时记忆自主转换电路
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