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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明公开了一种提高增强型GaNHEMT短路能力的方法及其器件结构。在传统结构增强型GaNHEMT的栅源之间紧邻源极区域的有源区沉积金属，该金属与传统结构增强型GaNHEMT的源极直接相连，形成一个传统结构增强型GaNHEMT与栅源短接的耗尽型氮化镓高电子迁移率晶体管D‑modeGaNHEMT相结合的复合结构，成为一个短路能力提高的完整的增强型GaNHEMT。本发明通过D‑modeGaNHEMT钳制住整个器件的饱和电流，可以降低增强型GaNHEMT的饱和电流密度，最终实现提高短路能力的目的。
主权项：1.一种提高增强型GaNHEMT短路能力的方法，在传统结构增强型GaNHEMT的栅源之间紧邻源极区域的有源区沉积金属，其中，源极和漏极位于势垒层上有源区的两侧，所沉积的金属位于钝化层上，该金属与传统结构增强型GaNHEMT的源极直接相连，形成一个传统结构增强型GaNHEMT与栅源短接的耗尽型GaNHEMT相结合的复合结构，成为一个短路能力提高的完整的增强型GaNHEMT。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种提高增强型GaN HEMT短路能力的方法及其器件结构
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