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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种可变电阻存储器装置。所述可变电阻存储器装置可以包括多个堆叠结构。每个堆叠结构可以形成在基底上，并且可以包括顺序堆叠的下电极、可变电阻图案和选择图案。阈值电压控制图案可以形成在堆叠结构上，可以在平行于基底的上表面的第二方向上延伸，并且可以被构造为增大或减小每个选择图案的阈值电压。上电极可以形成在阈值电压控制图案上，并且可以在第二方向上延伸。第一导线可以接触堆叠结构的下电极的相应下表面，并且可以在垂直于第二方向的第一方向上延伸。第二导线可以接触上电极的上表面，并且可以在第二方向上延伸。
主权项：1.一种可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置包括：多个堆叠结构，位于基底上，所述多个堆叠结构中的每个包括：下电极；可变电阻图案，位于下电极上；中间电极，位于可变电阻图案上；以及选择图案，位于中间电极上；阈值电压控制图案，位于所述多个堆叠结构上并与选择图案接触，阈值电压控制图案在与基底的上表面平行的第二方向上延伸，并且被构造为增大或减小每个选择图案的阈值电压；上电极，位于阈值电压控制图案上，并且在第二方向上延伸；第一导线，接触所述多个堆叠结构的下电极的相应下表面，并且在垂直于第二方向的第一方向上延伸；以及第二导线，接触上电极的上表面，第二导线在第二方向上延伸，其中，中间电极和上电极中的至少一个包括包含碳的导电材料，并且其中，阈值电压控制图案由金属氧化物形成。
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