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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体器件包括：衬底；主电路，设置在衬底的正面上方；以及背面功率输送电路，设置在衬底的背面上方。背面功率输送电路包括：第一主电源布线，用于提供第一电压；第二主电源布线，用于提供第二电压；第一局部电源布线；以及第一开关，连接至第一主电源布线和第一局部电源布线。第一主电源布线、第二主电源布线、以及第一局部电源布线埋至设置在衬底的背面上方的第一背面绝缘层中。第一局部电源布线通过穿过衬底的第一贯穿硅通孔TSV连接至主电路，用以提供第一电压。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底；主电路，设置在所述衬底的正面上方；以及背面功率输送电路，设置在所述衬底的背面上方，其中：所述背面功率输送电路包括：第一背面绝缘层，设置在所述衬底的所述背面上方；第一主电源布线，用于提供第一电压；第二主电源布线，用于提供第二电压；第一局部电源布线；以及第一开关，连接至所述第一主电源布线和所述第一局部电源布线；所述第一主电源布线、所述第二主电源布线、以及所述第一局部电源布线埋至所述第一背面绝缘层中，并且所述第一局部电源布线通过穿过所述衬底的第一贯穿硅通孔连接至所述主电路，用以提供所述第一电压；所述第一开关是薄膜晶体管，包括：半导体膜，具有沟道区、源极区、和漏极区，并且设置在所述第一背面绝缘层上；栅极介电层，设置在所述沟道区上方；栅极电极，设置在所述栅极介电层上方；源极接触件，设置在所述源极区上，并且与所述第一主电源布线接触；和漏极接触件，设置在所述漏极区上，并且与所述第一局部电源布线接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件
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