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申请/专利权人：北京邮电大学

摘要：本发明公开了一种采用单边预嵌入电感的共射极放大器，属于射频集成电路领域；具体包括输入匹配电路，级间匹配电路，并联嵌入电感，单边预嵌入电感，三级放大电路和输出匹配电路；输入信号依次进入三个放大电路的共射管基极，由共射管逐级放大后，由并联嵌入电感和单边预嵌入电感增大增益，最后通过集电极输出；同时，针对电感电容的谐振导致放大器的窄带问题，引入级间交错调谐，从而扩展带宽。通过在各级共射管的基极和集电极之间引入并联嵌入电感，与密勒电容产生谐振，从而消除密勒电容的影响，增益Gma提升至接近最大可实现增益；通过在集电极引入单边预嵌入电感，使并联嵌入电感所需值变小，更利于传输线的实现，具有高增益的优势。放大器工作在晶体管的最大振荡频率附近，适用于太赫兹通信领域。

主权项：1.一种采用单边预嵌入电感的共射极放大器，其特征在于，包括输入匹配电路，第一级放大电路，第一级级间匹配电路，第二级放大电路，第二级级间匹配电路，第三级放大电路，第三级级间匹配电路和输出匹配电路；输入信号依次进入三个放大电路的共射管基极，由共射管逐级放大后，最后通过集电极输出；同时，针对电感电容的谐振导致放大器的窄带问题，引入级间交错调谐，从而扩展带宽；所述共射管基极与集电极之间的密勒电容Cμ，使得原本隔离的输入信号和输出信号产生直接耦合；因此，晶体管集电极输出信号的幅度与密勒电容Cμ的大小密切相关；同时，通过在各级共射管的基极和集电极之间引入并联嵌入电感Lp，与密勒电容Cμ产生谐振，从而消除密勒电容的影响，提高晶体管集电极输出信号的幅度，在工作频率处将增益Gma提升至最大可实现增益Gmax；通过引入单边预嵌入电感，使所需并联嵌入电感值下降，从而降低高频下并联嵌入电感实现难度；具体过程为：首先，共射管Q1的导纳矩阵为[Y11Y12；Y21Y22]，单边预嵌入电感Lc的阻抗为jXc，由并联嵌入电感Lp和第一电容C1组成的并联嵌入网络的导纳值为jBp，则由预嵌入网络组成总网络的导纳矩阵Ytot为： 其中，ΔY＝Y11Y22-Y12Y21,则总网络的转换因子A为： 进而新网络的增益G表示为： 其中，K为稳定系数；由此可见，由不同的单边预嵌入电感Lc和并联嵌入电感Lp组合，得到不同的网络增益G，通过绘制总网络增益的影响图，当增益均取峰值点时，并联嵌入电感Lp的电感值随单边预嵌入电感Lc的增大而减小，可知，单边预嵌入电感Lc的引入能减小并联嵌入电感Lp。

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百度查询： 北京邮电大学 一种采用单边预嵌入电感的共射极放大器