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申请/专利权人：昆明理工大学

摘要：本发明公开了一种均匀散热的多晶硅还原炉底座，涉及多晶硅生产技术领域。所述均匀散热的多晶硅还原炉底座，包括上顶板、下底板和侧壁，侧壁合围在上顶板和下底板之间，上顶板上插接有若干电极，下底板中心设置有冷却水进口，侧壁上沿其径向均匀分布有多个冷却水出口。冷却水从底座中部进入从侧壁流出，更符合中部电极分布密度大热量集中、外周电极分布密度小易冷却的规律，使得底座温度场分布更加均匀散热效果更好，且结构简单、成本低。

主权项：1.一种均匀散热的多晶硅还原炉底座，其特征在于：包括上顶板（4）、下底板（5）和侧壁（6），侧壁（6）合围在上顶板（4）和下底板（5）之间，上顶板（4）上插接有若干电极（3），下底板（5）中心设置有冷却水进口（1），侧壁（6）上沿其径向均匀分布有多个冷却水出口（2）；冷却水进口（1）轴线与散热底座轴线共线，冷却水出口（2）轴线位于底座上顶板（4）和下底板（5）所夹的中间平面内，冷却水出口（2）轴线与上顶板（4）的距离和其与下底板（5）的距离相等；所述冷却水出口（2）为1～6个；所述冷却水进出口长径比0.008≤x1≤1，0.008≤y1≤1，根据如下规则求取冷却水进出口直径：1）当冷却水出口（2）数量为1时，满足如下公式： 其中T0=T1T，T1为还原炉底盘上顶板平均温度，T为冷却水进口温度425K，x1为冷却水进口长径比，x1=R1R，R1为冷却水进口（1）直径，R为还原炉底座直径；y1为冷却水出口长径比，y1=R2R，R2为冷却水出口（2）直径；c1值为1.022，a1值为5.017，b1值为0.488，a2值为-21.23，b2值为-6.485，d1值为-2.627；2）当冷却水出口（2）数量为2时，满足如下公式： 其中T0=T1T，T1为还原炉底盘上顶板平均温度，T为冷却水进口温度425K，x1为冷却水进口长径比，x1=R1R，R1为冷却水进口（1）直径，R为还原炉底座直径；y1为冷却水出口长径比，y1=R2R，R2为冷却水出口（2）直径；c1值为1.02，a1值为4.853，b1值为0.9813，a2值为-22.64，b2值为-19.69，d1值为8.191；3）当冷却水出口（2）数量为3时，满足如下公式： 其中T0=T1T，T1为还原炉底盘上顶板平均温度，T为冷却水进口温度425K，x1为冷却水进口长径比，x1=R1R，R1为冷却水进口（1）直径，R为还原炉底座直径；y1为冷却水出口长径比，y1=R2R，R2为冷却水出口（2）直径；c1值为1.009，a1值为5.028，b1值为1.358，a2值为-20，b2值为-17.27，d1值为-3.882；4）当冷却水出口（2）数量为4时，满足如下公式： 其中T0=T1T，T1为还原炉底盘上顶板平均温度，T为冷却水进口温度425K，x1为冷却水进口长径比，x1=R1R，R1为冷却水进口（1）直径，R为还原炉底座直径；y1为冷却水出口长径比，y1=R2R，R2为冷却水出口（2）直径；c1值为1.064，a1值为0.9432，b1值为1.949，a2值为0.01205，b2值为-27.82，d1值为0.5005；5）当冷却水出口（2）数量为5时，满足如下公式： 其中T0=T1T，T1为还原炉底盘上顶板平均温度，T为冷却水进口温度425K，x1为冷却水进口长径比，x1=R1R，R1为冷却水进口（1）直径，R为还原炉底座直径；y1为冷却水出口长径比，y1=R2R，R2为冷却水出口（2）直径；c1值为1.134，a1值为0.09564，b1值为-1.75，a2值为0.004931，b2值为26.56，d1值为0.9255；6）当冷却水出口（2）数量为6时，满足如下公式： 其中T0=T1T，T1为还原炉底盘上顶板平均温度，T为冷却水进口温度425K，x1为冷却水进口长径比，x1=R1R，R1为冷却水进口（1）直径，R为还原炉底座直径；y1为冷却水出口长径比，y1=R2R，R2为冷却水出口（2）直径；c1值为1.116，a1值为0.4473，b1值为-0.6364，a2值为0.1458，b2值为10.06，d1值为0.2375。

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