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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种采用爆炸抑制冲击变形的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。本申请包括一匝磁体线圈和环绕在磁体线圈外侧的爆炸层，在单匝线圈放电时，爆炸层被同步引爆，采用爆炸产生的冲击力作用于导体的外表面的方式来抑制导体变形，利用爆炸产生的爆轰波迫使导体减缓其在巨大电磁力下的变形过程。由于爆炸产生的压力极大，在量级上足以和电磁力进行抗衡，因此可以有效地抑制导体变形，从而在不升级电源系统的前提下提高中心点的磁场。此外，由于单匝线圈本身属于破坏性脉冲磁体，且放电电路的电磁惯性通常小于线圈的质量惯性，以及冲击波的机械惯性，因此爆炸并不会对磁体性能造成恶劣影响。
主权项：1.一种采用爆炸抑制冲击变形的单匝线圈式破坏性脉冲磁体，其特征在于，包括：放电电极板、磁体线圈和爆炸层；所述放电电极板包括两个平行布置的金属板，其与磁体线圈轴向截面平行，布置在磁体线圈径向外侧；所述磁体线圈只有一匝，磁体线圈的两端焊接在两个金属板外表面；所述爆炸层的轴向高度小于磁体线圈的轴向高度，环绕于磁体线圈外侧；所述爆炸层的引爆信号和磁体线圈放电的开关闭合信号保持同步。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种采用爆炸抑制冲击变形的单匝线圈式破坏性脉冲磁体
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