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一种SiC单晶生长炉真空尾气系统控制方法 

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申请/专利权人:重庆原石智能装备有限公司

摘要:本发明公开了一种SiC单晶生长炉真空尾气系统控制方法,抽真空时,只在抽真空开始一段时间和结束前一段时间打开角阀,其余时间关闭角阀;通过打开角阀,使真空计与石英腔室连通并检测石英腔室压力,基于真空计检测到的压力控制真空气路是否开启。在手动模式下,设置角阀自动开闭压力,薄膜规压力小于该压力时,自动打开角阀;大于该压力时,自动关闭角阀。本发明在满足生长工艺使用的同时,大大减小了设备器件受污染的可能性,提高其使用寿命,同时还能规避人为误操作的风险,提高设备真空尾气系统使用的可控性和便捷性。

主权项:1.一种SiC单晶生长炉真空尾气系统控制方法,其特征在于:抽真空时,只在抽真空开始一段时间和结束前一段时间打开角阀,其余时间关闭角阀;通过打开角阀,使真空计与石英腔室连通并检测石英腔室压力,基于真空计检测到的压力控制真空气路是否开启。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 重庆原石智能装备有限公司 一种SiC单晶生长炉真空尾气系统控制方法

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