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申请/专利权人：杭州士兰集昕微电子有限公司;杭州士兰集成电路有限公司

摘要：本公开提供了一种静电防护电路、静电防护器件及其制造方法，静电防护电路包括第一和第二防护单元，每个防护单元包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻构成的第一电流路径以及第二电阻和第一二极管构成的第二电流路径，第一静电防护单元与第二静电防护单元的至少一个还包括维持电压提升模块，当第一电位大于第二电位时，电流经过第一防护单元的第一电流路径与第二防护单元的第二电流路径以释放静电，其它电流路径反向截止，当第一电位小于第二电位时，电流经过第二防护单元的第一电流路径与第二防护单元的第一电流路径以释放静电，其它电流路径反向截止。通过设置维持电压提升模块使得静电防护电路的维持电压可以高于被保护的电路的工作电压。

主权项：1.一种静电防护电路，包括第一静电防护单元与第二静电防护单元，所述第一静电防护单元与所述第二防护单元均包括：第一晶体管、第二晶体管和第一电阻，所述第一晶体管的基极连接所述第二晶体管的集电极，所述第一晶体管的集电极连接所述第二晶体管的基极，所述第一电阻串联在所述第二晶体管的基极与发射极之间；第二电阻和第一二极管，所述第二电阻串联在所述第一晶体管的发射极与所述第一二极管的阴极之间；所述第一静电防护单元与所述第二静电防护单元的至少一个还包括维持电压提升模块，所述维持电压提升模块的一端连接所述第二晶体管的发射极，另一端连接所述第一二极管的阳极，所述第一晶体管为PNP三极管，所述第二晶体管为NPN三极管，其中，所述第一静电防护单元的所述第一晶体管的发射极连接第一电位，所述第二静电防护单元的所述第一晶体管的发射极连接第二电位，所述第一静电防护单元的所述第一二级管的阳极与所述第二静电防护单元的所述第一二级管的阳极相连，当所述第一电位大于所述第二电位时，电流经过所述第一静电防护单元的所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第一电阻以及所述第二静电防护单元的所述第一二极管和所述第二电阻的路径以释放静电，所述第二静电防护单元的所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第一电阻以及所述第一静电防护单元的所述第一二极管和所述第二电阻的路径反向截止，当所述第一电位小于所述第二电位时，电流经过所述第二静电防护单元的所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第一电阻以及所述第一静电防护单元的所述第一二极管和所述第二电阻的路径以释放静电，所述第一静电防护单元的所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第一电阻以及所述第二静电防护单元的所述第一二极管和所述第二电阻的路径反向截止。

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