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一种具有滞回区间的可充电电池欠压保护电路 

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申请/专利权人:力高(山东)新能源技术股份有限公司

摘要:本发明属于储能电池保护技术领域,具体涉及一种具有滞回区间的可充电电池欠压保护电路,包括MOS管Q4、三极管Q1和三极管Q2,三极管Q2用于控制MOS管Q4的导通与关闭,MOS管Q4用于控制MOS管Q3的导通与关闭,MOS管Q3用于控制电池的放电与截止;电池给负载供电时,当电压值低于预设的第一阈值时,三极管Q1由导通变截止,进而控制MOS管Q3关闭,电池放电截止;当电压值高于预设的第二阈值,且满足三极管Q1的导通门限,三极管Q2截止,MOS管Q4关闭,进而控制MOS管Q3导通,电池恢复给负载供电。本发明通过两个三极管的导通与截止来实现欠压值及恢复值的不同,进而控制电池放电的MOS管的开通与关闭,进而实现对电池放电路径的控制。

主权项:1.一种具有滞回区间的可充电电池欠压保护电路,其特征在于,欠压保护电路连接在电池、MOS管Q3和负载之间,欠压保护电路用于根据电池电压值以反馈调节MOS管Q3通断;欠压保护电路包括MOS管Q4、三极管Q1和三极管Q2,所述三极管Q1的导通门限大于三极管Q2,所述三极管Q2用于控制所述MOS管Q4的导通与关闭,所述MOS管Q4用于控制MOS管Q3的导通与关闭,所述MOS管Q3用于控制电池的放电与截止;电池给负载供电时,当所述电压值低于预设的第一阈值时,三极管Q1由导通变截止,三极管Q2由截止变导通,MOS管Q4导通,进而控制MOS管Q3关闭,电池放电截止;外部电源给电池充电时,当所述电压值高于预设的第二阈值,且满足三极管Q1的导通门限,三极管Q2截止,MOS管Q4关闭,进而控制MOS管Q3导通,电池恢复给负载供电;所述第一阈值小于所述第二阈值。

全文数据:

权利要求:

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