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申请/专利权人：豪威科技股份有限公司
摘要：本公开涉及用于从光电二极管的电荷转移的垂直转移栅极掺杂分布。一种像素单元包含安置于半导体材料中的光电二极管。浮动扩散部安置于所述半导体材料中。转移栅极包含在所述光电二极管与所述浮动扩散部之间安置于所述半导体材料中的垂直转移栅极结构。所述转移栅极耦合于所述光电二极管与所述浮动扩散部之间。钝化层安置于所述半导体材料中并靠近所述垂直转移栅极。所述钝化层具有靠近所述垂直栅极结构的具非均匀分布的掺杂轮廓的区域，使得所述钝化层中靠近所述垂直栅极结构的所述区域沿着第一方向的第一掺杂浓度小于所述钝化层中靠近所述垂直栅极结构的所述区域沿着第二方向的第二掺杂浓度。
主权项：1.一种像素单元，其包括：光电二极管，其安置于半导体材料中；浮动扩散部，其安置于所述半导体材料中；转移栅极，其包括在所述光电二极管与所述浮动扩散部之间安置于所述半导体材料中的垂直转移栅极结构，所述转移栅极耦合于所述光电二极管与所述浮动扩散部之间；及钝化层，其安置于所述半导体材料中并靠近所述垂直转移栅极，其中所述钝化层具有靠近所述垂直栅极结构的具非均匀分布的掺杂轮廓的区域，使得所述钝化层中靠近所述垂直栅极结构的所述区域沿着第一方向的第一掺杂浓度小于所述钝化层中靠近所述垂直栅极结构的所述区域沿着第二方向的第二掺杂浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 豪威科技股份有限公司 用于从光电二极管的电荷转移的垂直转移栅极掺杂分布
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