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申请/专利权人：威顿智存科技(上海)有限公司
摘要：本申请提供了一种具备RAM操作和NVM特征的非易失性半导体存储装置，包括：由10个半导体元件组成的存储单元，存储单元包括一个由6个半导体元件组成的SRAM存储单元部分和一个由4个半导体元件组成的非易失性存储器部分；其中，非易失性存储器部分包括两组双元件，每组双元件包括串联连接的一个非易失性存储单元晶体管和一个N型沟道晶体管或者P型沟道晶体管，双元件的每个晶体管均与SRAM存储单元部分相连接；非易失性存储单元晶体管为P型沟道晶体管，非易失性存储单元晶体管的沟道区域上方具有包括绝缘层的电荷存储层，电荷存储层上方具有依次层叠的绝缘层和栅极；两组双元件分别与SRAM存储单元部分的正存储节点和负存储节点相连。至少有利于降低制造成本以及提高存储单元的集成密度。
主权项：1.一种具备RAM操作和NVM特征的非易失性半导体存储装置，其特征在于，可进行易失性RAM操作和非易失性RAM数据存储，所述非易失性半导体存储装置包括：由10个半导体元件组成的存储单元，所述存储单元包括一个由6个半导体元件组成的SRAM存储单元部分和一个由4个半导体元件组成的非易失性存储器部分；其中，所述非易失性存储器部分包括两组双元件，每组所述双元件包括串联连接的一个非易失性存储单元晶体管和一个N型沟道晶体管，所述双元件中的每个晶体管均与所述SRAM存储单元部分相连接；所述非易失性存储单元晶体管为P型沟道晶体管，所述非易失性存储单元晶体管的沟道区域上方具有包括绝缘层的电荷存储层，所述电荷存储层上方具有依次层叠的绝缘层和栅极；所述两组双元件分别与所述SRAM存储单元部分的正存储节点和负存储节点相连。
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权利要求：
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