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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明公开了一种基于自旋轨道耦合的感存算一体结构及其操作方法，其结构包括：衬底以及形成于衬底上的功能层，功能层包括依次堆叠于衬底上的SOT感应层、绝缘层和磁场生成层，且划分为N个功能区，N≥1，在每个功能区中：磁场生成层形成有电流支路，用于传输上层电流；SOT感应层设置有SOT器件，SOT器件为包括电流施加条和电压测试条的Hallbar结构，电流支路与电流施加条相互垂直，电流支路输入上层电流后产生方向与电流施加条中电流方向平行的均匀磁场，电流施加条中输入写电流与所述均匀磁场共同作用，在SOT器件中写入稳定的反常霍尔电阻，电压测试条用于测试反常霍尔电压。通过以上结构，可以集感知、存储和运算为一体，大大提高运算速度并降低功耗。
主权项：1.一种基于自旋轨道耦合的感存算一体结构，其特征在于，包括：衬底以及形成于衬底上的功能层，所述功能层包括依次堆叠于衬底上的SOT感应层、绝缘层和磁场生成层，且划分为分布于衬底不同位置的N个功能区，N≥1，在每个功能区中：所述磁场生成层形成有电流支路，用于传输上层电流；所述SOT感应层设置有SOT器件，所述SOT器件为包括电流施加条和电压测试条的Hallbar结构，所述电流支路与所述电流施加条相互垂直，所述电流支路输入上层电流后产生方向与电流施加条中电流方向平行的均匀磁场，所述电流施加条用于在输入写电流期间与所述均匀磁场共同作用，以在所述SOT器件中写入稳定的反常霍尔电阻，所述电压测试条用于在所述电流施加条上输入读电流期间，测试所述SOT器件的反常霍尔电压，以得到所述SOT器件的反常霍尔电阻；所述绝缘层电隔离所述电流支路和所述Hallbar结构。
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百度查询： 华中科技大学 一种基于自旋轨道耦合的感存算一体结构及其操作方法
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