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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：公开了一种静电放电保护器件，所述静电放电保护器件包括：衬底、具有第一导电类型的第一阱和包围所述第一阱的第二阱、形成在所述第一阱上的第一扩散区至第五扩散区以及形成在所述第二阱上的第六扩散区和第七扩散区。所述第二扩散区包围所述第一扩散区，所述第四扩散区包围所述第三扩散区，并且所述第五扩散区包围所述第二扩散区和所述第四扩散区中的每一者。所述第六扩散区包围所述第五扩散区，并且所述第七扩散区包围所述第六扩散区。所述第六扩散区和所述第七扩散区连接到阳极电极，并且所述第一扩散区至所述第五扩散区连接到阴极电极。
主权项：1.一种静电放电保护器件，所述静电放电保护器件包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；第一阱，所述第一阱形成在所述衬底上并且具有所述第一导电类型；第二阱，所述第二阱形成在所述衬底上并且在俯视图中包围所述第一阱，所述第二阱具有第二导电类型；第一扩散区，所述第一扩散区形成在所述第一阱上并且具有所述第一导电类型；第二扩散区，所述第二扩散区形成在所述第一阱上并且在所述俯视图中包围所述第一扩散区，所述第二扩散区具有所述第二导电类型；第三扩散区，所述第三扩散区形成在所述第一阱上并且具有所述第一导电类型；第四扩散区，所述第四扩散区形成在所述第一阱上并且在所述俯视图中包围所述第三扩散区，所述第四扩散区具有所述第二导电类型；第五扩散区，所述第五扩散区形成在所述第一阱上并且在所述俯视图中包围所述第二扩散区和所述第四扩散区中的每一者，所述第五扩散区具有所述第一导电类型；第六扩散区，所述第六扩散区形成在所述第二阱上并且在所述俯视图中包围所述第五扩散区，所述第六扩散区具有所述第一导电类型；和第七扩散区，所述第七扩散区形成在所述第二阱上并且在所述俯视图中包围所述第六扩散区，所述第七扩散区具有所述第二导电类型，其中，所述第六扩散区和所述第七扩散区连接到第一电极，并且所述第一扩散区至所述第五扩散区连接到第二电极。
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