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申请/专利权人：欧门科技股份有限公司
摘要：一种半导体制程，包括：提供待加工电子组件于一腔体内部；提升该腔体内部的温度及压力至第一温度与第一压力，并维持一第一时间段；降低该腔体内部的压力至第二压力，然后回复至常压，保持该腔体内部的温度为该第一温度，并持续一第二时间段；通入氮气或惰性气体至该腔体内部，使该腔体内部的压力增大至该第一压力并提供低氧环境，提升该腔体内部的温度至第二温度，持续一第三时间段；提升该腔体内部的温度及压力至第三温度与第三压力，并维持一第四时间段；提升该腔体内部的温度至第四温度，维持该腔体内部的压力为该第三压力，持续一第五时间段；通过冷热交换器降温，通过调整冷热交换器的介质温度以改变腔体内部降温的速率。
主权项：1.一种半导体制程，其特征在于，包括：提供待加工电子组件于一腔体内部；提升该腔体内部的温度及压力至第一温度与第一压力，并维持一第一时间段；降低该腔体内部的压力至第二压力，然后回复至常压，保持该腔体内部的温度为该第一温度，并持续一第二时间段；通入氮气或惰性气体至该腔体内部，使该腔体内部的压力增大至该第一压力并提供低氧环境，提升该腔体内部的温度至第二温度，持续一第三时间段；提升该腔体内部的温度及压力至第三温度与第三压力，并维持一第四时间段；提升该腔体内部的温度至第四温度，维持该腔体内部的压力为该第三压力，持续一第五时间段；通过冷热交换器降温，通过调整冷热交换器的介质温度以改变腔体内部降温的速率；其中，该待加工电子组件为待加工半导体芯片封装结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 欧门科技股份有限公司 半导体制程及设备
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