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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：本公开的实施例涉及具有涡流磁化屏蔽元件的磁阻传感器。本发明提出了一种磁阻传感器100，该磁阻传感器包括至少一个具有层堆叠120的磁阻元件110。所述层堆叠120具有至少一个自由层114，所述自由层具有在层平面中可变的磁化，该磁化根据平行于所述层平面作用的外部磁场130的场强而变化。此外，磁阻传感器100还具有屏蔽元件140，该屏蔽元件具有涡流磁化，该涡流磁化具有在层平面中的闭合通量141，其中屏蔽元件140被设计为在存在外部磁场130的情况下产生与外部磁场130反向定向的线性杂散磁场150。
主权项：1.磁阻传感器100，所述磁阻传感器具有：至少一个具有层堆叠120的磁阻元件110，所述层堆叠具有至少一个自由层114，其中所述自由层114具有在层平面中可变的磁化，该磁化根据平行于所述层平面作用的外部磁场130的场强而变化；和屏蔽元件140，所述屏蔽元件被设计为在存在所述外部磁场130的情况下产生线性杂散磁场150，所述线性杂散磁场与所述外部磁场130反向取向，其中所述屏蔽元件140具有涡流磁化141，所述涡流磁化具有在所述层平面中的闭合通量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 具有涡流磁化屏蔽元件的磁阻传感器
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