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申请/专利权人：湖北科技学院
摘要：本发明提供了一种在硅波导中利用相位控制OAM模式生成的方法，属于硅基光波导技术领域。基于集成的硅平台，基模TE00从未刻槽的波导输入，与刻槽波导满足模式匹配后发生耦合，因为刻槽的存在TE00模式劈裂形成两个类LP模式。优化结构参数，将两个类LP模式的偏振旋转约45°，等效出耦合相位和人工规范场，进而选择性的生成OAM+1模式或者OAM‑1模式。在1.50μm到1.59μm的波长范围内研究了一阶OAM模式产生情况，发现模式纯度都在80％以上。本发明通过精确设计波导结构和刻槽参数，有效地利用规范场来操控OAM模式，这对于开发新型的光子器件和光通信技术具有重要意义，为未来在光子学和光通信领域的研究开辟了新的可能性。
主权项：1.一种硅波导中利用相位控制OAM模式生成的方法，其特征在于，OAM模式生成器由两根波导组成，一根根基模波导无刻槽，一根高阶模波导有刻槽，波导由Si硅材料构成，包层由SiO2二氧化硅材料构成，入射光从无刻槽波导打入，经过耦合进入刻槽波导，在耦合相位即规范场的作用下生成OAM模式。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北科技学院 一种硅波导中利用相位控制OAM模式生成的方法
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