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申请/专利权人：同济大学

摘要：本发明提供了一种测定聚酰胺分离膜单离子分配系数的方法。该方法包括以下步骤：将清洗后的聚酰胺分离膜中的无纺布剥离出来，然后通过有机溶剂将聚酰胺分离层与支撑层分离。将聚酰胺分离层附着在金硅片上，并通过石英晶体微天平（QCM）的流动模块测量聚酰胺分离层在不同盐离子条件下的质量变化。通过这种方法，可以精确测量聚酰胺分离层上的盐浓度以及阳离子和阴离子的浓度，从而量化离子在聚酰胺膜上的分配系数。这种方法操作简便、实时直观，能够精确量化离子在聚酰胺膜上的分配系数，有助于深入了解聚酰胺膜中单离子分配的差异，为明晰和调控聚酰胺膜内的离子传质过程提供了新的策略和方法。

主权项：1.一种测定聚酰胺分离膜单离子分配系数的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将金硅片装入石英晶体微天平的流动模块，通入去离子水，平衡后，记录芯片振动频率f1；再通入盐溶液，平衡后记录芯片振动频率f2；（2）将聚酰胺分离膜中无纺布剥离，之后放入有机溶剂中，得到去除支撑层的聚酰胺膜，取出并贴合在步骤（1）中金硅片上，干燥；将干燥后的贴合有聚酰胺膜的金硅片装入石英晶体微天平的流动模块，通入去离子水，平衡后，记录芯片振动频率f3；再通入盐溶液，平衡后记录芯片振动频率f4；（3）通过Sauerbrey关系计算聚酰胺膜上盐分配的质量变化msalt，所述Sauerbrey关系为：；其中，Δf是通过用涂有聚酰胺的传感器检测的频率变化Δf1，减去未涂有聚酰胺的传感器检测的频率变化Δf2得到；其中，Δf1=f4-f3，Δf2=f2-f1；n是频数；C是金硅片的晶体常数；（4）通过聚酰胺膜质量的变化计算聚酰胺膜表面的盐浓度cs,p， ，其中，δ为聚酰胺膜厚度；cs,v为聚酰胺膜空隙中的盐浓度；fv为聚酰胺膜的空隙率；MWv是聚酰胺膜的空隙中盐的分子量、MWp是聚酰胺膜中盐的分子量；（5）总离子分配系数Ktot、阳离子分配系数Kct和阴离子分配系数Kco，分别通过以下公式计算： ， ， ；其中，z+为阳离子的价态；z-为阴离子的价态；cs,b为盐溶液浓度；非道南分配系数Φ是在强酸条件和高浓度盐溶液条件下得到的，在高浓度盐和强酸性条件下，道南电位为0；因此，Φ值在此条件下得以测量；其中，强酸条件的pH为1-5，高浓度盐溶液的浓度为800-2000mmolL；即，；道南电位ΔφD通过以下公式计算： 。

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