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一种发热点自检测的碳化硅功率器件检测方法 

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申请/专利权人:苏州中瑞宏芯半导体有限公司

摘要:本发明公开了一种发热点自检测的碳化硅功率器件检测方法,属于半导体功率器件检测技术领域,其具体包括:通过集成温度敏感元件、多源数据采集与融合技术,实时监测器件温度、环境及电性参数,构建精确的器件状态数据;利用深度学习算法处理热成像图,精准识别正常与异常发热区域,并结合电性参数定位发热点;构建多维度风险评估模型,量化评估发热风险,自动生成检测报告;通过实时反馈机制与智能决策系统,自动制定并实施最优控制措施,确保了碳化硅功率器件的安全稳定运行,提高了系统可靠性和维护效率。

主权项:1.一种发热点自检测的碳化硅功率器件检测方法,其特征在于,包括:步骤S1:通过温度敏感元件实时监测碳化硅功率器件的温度变化数据,同时,采集碳化硅功率器件工作时的环境数据和电性参数数据,并进行预处理和多源数据融合,获得器件状态数据;步骤S2:根据温度变化数据生成热成像图,并采用深度学习算法对热成像图进行特征提取和模式识别,自动区分正常温度分布与异常发热区域,同时,采用电性参数算法定位发热区域内部的发热点位置;步骤S3:根据器件状态数据,构建多维度风险评估模型,对识别出的发热点进行量化评估,根据量化评估结果,自动生成检测报告;步骤S4:建立反馈机制,将检测报告实时传输给测试设备,并通过内置的智能决策系统,根据评估结果自动制定最优控制措施。

全文数据:

权利要求:

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