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申请/专利权人：香港科技大学(广州)
摘要：本申请提供了一种绝热微环调制器及其参数生成方法和光通信发射端结构。绝热微环调制器包括浅刻蚀底座，包括直线型第一区域和环形第二区域；总线波导，位于第一区域中；以及微环主体，位于第二区域中，微环主体包括微环谐振腔脊波导和位于微环主体中心区域并与微环谐振腔脊波导邻接的金半接触区；其中，微环主体远离第二区域的环形外轮廓的内侧边缘形成绝热转变曲线，绝热转变曲线在最靠近单模耦合区的第一位置具有第一半径R1、且在最靠近回音壁模式区的第二位置具有第二半径R2，第一半径R1大于第二半径R1。本申请可以提升微环调制器的自由光谱范围，高速电光调制能力和通信带宽容量。
主权项：1.一种绝热微环调制器，其特征在于，包括：浅刻蚀底座，包括沿第一方向延伸的直线型第一区域和位于所述第一区域一侧的环形第二区域；总线波导，位于所述第一区域中；以及微环主体，位于所述第二区域中，所述微环主体包括沿所述第二区域的环形外轮廓环绕延伸的微环谐振腔脊波导和位于所述微环主体中心区域并与所述微环谐振腔脊波导邻接的金半接触区，其中，所述微环主体和所述总线波导的邻接区域形成单模耦合区；所述金半接触区和所述微环谐振腔脊波导的邻接区域形成回音壁模式区；以及所述微环主体远离所述第二区域的所述环形外轮廓的内侧边缘形成绝热转变曲线，所述绝热转变曲线在最靠近所述单模耦合区的第一位置具有第一半径R1、且在最靠近所述回音壁模式区的第二位置具有第二半径R2，所述第一半径R1大于所述第二半径R1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 香港科技大学(广州) 绝热微环调制器及其参数生成方法和光通信发射端结构
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