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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开提供存储器单元、存储器系统与存储器单元的操作方法。存储器单元的第一层包括一第一晶体管以及一第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管以交叉耦接配置彼此连接。第一晶体管的一第一漏极结构是电性耦接到第二晶体管的一第一栅极结构。第二晶体管的一第二漏极结构是电性耦接至第一晶体管的一第二栅极结构。存储器单元的第二层包括电性耦接于第一晶体管的第一漏极结构的一第一磁穿隧接面元件，以及电性耦接于第二晶体管的第二漏极结构的一第二磁穿隧接面元件。第二层位于第一层的上方。
主权项：1.一种存储器单元，包括：一第一层，包括一第一晶体管以及一第二晶体管，其中上述第一晶体管和上述第二晶体管以交叉耦接配置彼此连接，其中上述第一晶体管的一第一漏极结构是电性耦接到上述第二晶体管的一第一栅极结构，其中上述第二晶体管的一第二漏极结构是电性耦接至上述第一晶体管的一第二栅极结构；以及一第二层，包括电性耦接于上述第一晶体管的上述第一漏极结构和一共同节点之间的一第一磁穿隧接面元件，以及电性耦接于上述第二晶体管的上述第二漏极结构和上述共同节点之间的一第二磁穿隧接面元件，其中上述第二层位于上述第一层的上方，其中当一供应电压施加在上述共同节点时，上述第一磁穿隧接面元件和上述第二磁穿隧接面元件的状态被读取，以及当一参考电压施加在上述共同节点时，上述第一磁穿隧接面元件和上述第二磁穿隧接面元件的状态被编程，其中上述参考电压是上述供应电压的一半。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器单元、存储器系统与存储器单元的操作方法
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