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申请/专利权人：上海创远仪器技术股份有限公司
摘要：本发明涉及一种嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构，包括数控衰减器、第一SPDT开关、第二SPDT开关、第三SPDT开关、第四SPDT开关、第五SPDT开关、第一固定值衰减器、第二固定值衰减器和第三固定值衰减器，所述的数控衰减器与信号输入接口相连，所述的第一SPDT开关的一端与数控衰减器相连，所述的第三SPDT开关的一端与信号输出接口相连，所述的第一固定值衰减器的一端与第四SPDT开关相连，所述的第三固定值衰减器的一端与第五SPDT开关相连。采用了本发明的嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构，减少前级链路中的数控衰减器数量，降低器件成本与电路控制难度。同时，数控衰减器与隔离开关复用开关器件，既保证了端口之间的隔离度，也不会增加链路插入损耗。
主权项：1.一种嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括数控衰减器、第一SPDT开关、第二SPDT开关、第三SPDT开关、第四SPDT开关、第五SPDT开关、第一固定值衰减器、第二固定值衰减器和第三固定值衰减器，所述的数控衰减器与信号输入接口相连，所述的第一SPDT开关的一端与数控衰减器相连，所述的第三SPDT开关的一端与信号输出接口相连，所述的第一固定值衰减器的一端与第四SPDT开关相连，所述的第三固定值衰减器的一端与第五SPDT开关相连；所述的电路结构具有3条信号路径，即第一通路、第二通路和第三通路，分别在不同的输入信号下连通，所述的第一通路第一SPDT开关和第二SPDT开关直接串联，即为第一通路；所述的第一SPDT开关与第一固定值衰减器相连，所述的第四SPDT开关与第五SPDT开关直接串联，所述的第二SPDT开关与第三固定值衰减器相连，即为第二通路；所述的第一SPDT开关与第一固定值衰减器相连，所述的第四SPDT开关与第五SPDT开关分别接在第二固定值衰减器的两端，所述的第二SPDT开关与第三固定值衰减器相连，即为第三通路。
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权利要求：
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