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申请/专利权人：广东大角鹿新材料有限公司

摘要：本发明涉及建筑陶瓷材料的技术领域，公开了一种防脱落空鼓坯底纹理瓷砖及其制备方法，制备方法包括：在坯体层的背面涂覆亲水保护浆料，烧制后得到设有亲水保护层的防脱落空鼓坯底纹理瓷砖；亲水保护浆料的成分包括抗黏接枝物粉料；抗黏接枝物粉料的制备方法包括：A、将2‑3,4‑环氧环己烷基乙基三乙氧基硅烷与碱在水中反应，随后加入KH560继续反应，得到改性界面处理剂；B、继续加入托贝莫来石晶须反应；C、继续加入氧化铝反应，得到前驱体材料；D、将所得前驱体材料烧结并后研磨或打散得到抗黏接枝物粉料。实施本发明，在瓷砖烧结过程中避免瓷砖坯体黏附于辊棒上，还改善了瓷砖铺贴时的粘接强度，提升瓷砖的防脱落空鼓性能。

主权项：1.一种防脱落空鼓坯底纹理瓷砖的制备方法，其特征在于，包括：（1）准备坯体粉料，并经布料、成型得到坯体层，所述坯体层的背面设有多个凹槽，所述凹槽的侧壁倾斜设置；（2）在所得坯体层的背面涂覆亲水保护浆料，所述亲水保护浆料均匀涂覆在坯体层的背面，且均匀分布在所述凹槽的底部和侧壁；（3）将步骤（2）所得的坯体层进行烧制，得到设有亲水保护层的防脱落空鼓坯底纹理瓷砖；其中，所述亲水保护浆料通过将10~20重量份的抗黏接枝物粉料和85~95重量份的水混合制得；所述抗黏接枝物粉料由下述方法制得：A、将2-3,4-环氧环己烷基乙基三乙氧基硅烷与碱在水中反应，随后加入KH560继续反应，得到改性界面处理剂，其中，所述2-3,4-环氧环己烷基乙基三乙氧基硅烷和所述KH560的投加摩尔比为1：（0.5~1）；B、继续加入托贝莫来石晶须，并在45~60℃的温度下反应，其中2-3,4-环氧环己烷基乙基三乙氧基硅烷和KH560的总投加量为托贝莫来石晶须的投加量的0.6%~2.5wt%；C、继续加入氧化铝在35~45℃下反应，其中氧化铝的投加摩尔量与2-3,4-环氧环己烷基乙基三乙氧基硅烷和KH560的总投加摩尔量的比为1：（1.5~3），并过滤干燥，得到抗黏接枝物粉料的前驱体材料；D、将所得前驱体材料烧结并研磨或打散，得到抗黏接枝物粉料；步骤A中，所述2-3,4-环氧环己烷基乙基三乙氧基硅烷与碱的反应时间为0.5~1.5h，控制反应体系的pH为10.0~11.0；加入所述KH560继续反应的反应时间为0.5~2h；步骤B中，反应时间为5~10h；所述托贝莫来石晶须的长径比为30~200，孔隙率为50%~70%；步骤C中，反应时间为1~4h；所述氧化铝为氧化铝颗粒，所述氧化铝颗粒的平均粒径为100nm~500nm；步骤D中，所述烧结为在570~620℃下烧结2~5h。

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