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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本实用新型的各种实施例是针对包括与第二晶片堆迭的第一晶片的图像感测器。第一晶片包括第一基底及设置在第一基底中的光侦测器。第一电晶体设置在第一基底上且与光侦测器相邻。多个第二电晶体设置在堆迭的第一晶片与第二晶片之内或之上。多个第二电晶体包括第一读出电晶体，第一读出电晶体具有在第一读出闸极介电结构之上的第一读出闸极。第一读出闸极介电结构包括与上介电结构堆迭的下介电层。上介电结构的相对介电常数大于下介电层的相对介电常数。
主权项：1.一种图像感测器，其特征在于，包括：第一晶片，包括第一基底及设置在所述第一基底中的光侦测器；第一电晶体，设置在所述第一基底上且与所述光侦测器相邻；第二晶片，与所述第一晶片堆迭；以及多个第二电晶体，设置在堆迭的所述第一晶片与所述第二晶片内或设置在堆迭的所述第一晶片与所述第二晶片上，其中所述多个第二电晶体包括第一读出电晶体，所述第一读出电晶体具有在第一读出闸极介电结构之上的第一读出闸极，其中所述第一读出闸极介电结构包括与上介电结构堆迭的下介电层，其中所述上介电结构的相对介电常数大于所述下介电层的相对介电常数。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 图像感测器
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