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申请/专利权人：安徽碳索芯材科技有限公司
摘要：本实用新型涉及晶体生长设备技术领域，具体是一种通过气压调节钼台高低的MPCVD基台装置，包括炉体，所述炉体左右两侧设置有观察窗，所述炉体上方设置有微波发生部，所述炉体底部左右两侧分别设置有原料气体进口和气体出口；所述炉体内部设置有晶种托盘，所述晶种托盘放置在芯柱上，所述芯柱底部设置有波纹管，所述波纹管上设置有进气口和出气口，用于调节波纹管中气体压力，来实现晶种托盘的上下微调，使晶种始终位于合适的生长温度，达到最快的晶体生长速度。本实用新型可以通过调节波纹管中气体压力，来实现晶种托盘的上下微调，使晶种始终位于合适的生长温度，达到最快的晶体生长速度。
主权项：1.一种通过气压调节钼台高低的MPCVD基台装置，包括炉体（5），所述炉体（5）左右两侧设置有观察窗（12），所述炉体（5）上方设置有微波发生部（14），所述炉体（5）底部左右两侧分别设置有原料气体进口（15）和气体出口（16），其特征在于：所述炉体（5）内部设置有晶种托盘（1），所述晶种托盘（1）放置在芯柱（11）上，所述芯柱（11）底部设置有波纹管（8），所述波纹管（8）上设置有进气口（9）和出气口（10）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽碳索芯材科技有限公司 一种通过气压调节钼台高低的MPCVD基台装置
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