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直接原子层沉积和/或蚀刻方法 

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申请/专利权人:亚特兰特3D公司

摘要:本公开涉及一种原子层沉积和或蚀刻方法,包括使用第一前体流体在基材上绘制第一线,所述第一线纵向延伸并且具有横向方向上的第一线宽,以及使用第二前体流体在基材上绘制第二线,所述第二线纵向延伸并且具有横向方向上的第二线宽。第一线和第二线在横向上部分地彼此重叠,重叠程度小于第一线宽和第二线宽,和或第一线和第二线在横向上彼此间隔,间隔程度小于第一线宽和第二线宽,使得形成第一突起,其横向方向上的最大宽度小于第一线宽和第二线宽,和或者形成第一凹部,其横向方向上的最大宽度小于第一线宽和第一线宽。

主权项:1.一种原子层沉积和或蚀刻方法,其包括使用第一前体流体在基材上绘制第一线,所述第一线纵向延伸并且具有横向方向上的第一线宽;使用第二前体流体在所述基材上绘制第二线,所述第二线纵向延伸并且具有横向方向上的第二线宽;其中所述第一线和第二线以预定量在横向上部分地彼此重叠,所述预定量小于第一线宽和第二线宽;和或其中所述第一和第二线以预定量在横向上彼此间隔,所述预定量小于第一线宽和第二线宽,使得形成第一突起,其横向方向上的最大宽度小于第一线宽和第二线宽,和或形成第一凹部,其横向方向上的最大宽度小于第一线宽和第二线宽。

全文数据:

权利要求:

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