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申请/专利权人：芯立嘉集成电路(杭州)有限公司
摘要：本申请实施例提供一种具强化数据保存功能的静态随机存取存储器单元，包含二个PMOS晶体管以及二个NMOS晶体管，以CMOS工艺技术来制造。二个PMOS晶体管耦接至一供应电压轨、一第一储存节点以及一第二储存节点，而二个NMOS晶体管，用以响应于一字线，并耦接至一对位线以及第一及第二储存节点。其中，二个NMOS晶体管被关闭时，第一储存节点上的一浮接电压由一接地电压往上增加，并稳定及维持在一稳态电压Vstdf，以及，所述第一储存节点及所述第二储存节点之间的一电压差VDD‑Vstdf大于一预设电压，以在下一个数据读取期间读出储存于所述静态随机存取存储器单元内的一数据位，其中，0VstdfVDD。
主权项：1.一种具强化数据保存功能的静态随机存取存储器单元，其特征在于，包含：一对相互耦接的PMOS晶体管，耦接至一供应电压轨、一第一储存节点以及一第二储存节点；以及二个NMOS晶体管，耦接至一字线、一对位线以及所述第一及所述第二储存节点；其中，当所述二个NMOS晶体管被关闭时，于所述第一储存节点上的一浮接电压由一接地电压往上增加，并稳定及维持在一稳态电压Vstdf，并且，所述第一储存节点及所述第二储存节点之间的一电压差VDD-Vstdf大于一预设电压，以致于在下一个数据读取期间，储存于所述静态随机存取存储器单元内的一数据位能正确地被读出；以及其中，VDD代表于所述第二储存节点上的一供应电压以及0VstdfVDD。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯立嘉集成电路(杭州)有限公司 具强化数据保存功能的静态随机存取存储器单元
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