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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本发明提供了一种真空镀膜设备、一种真空镀膜方法及一种计算机可读存储介质。所述真空镀膜设备包括反应腔室及机械手。所述反应腔室包括至少两个加热盘。第一加热盘配置有较长的第一顶针组。第二加热盘配置有较短的第二顶针组。所述机械手被配置为：从前端模块获取第一晶圆和或第二晶圆；在高于所述第一顶针组顶端的第一高度，进行对准所述第一加热盘的第一位置纠偏；下降到介于所述第一顶针组顶端与所述第二顶针组顶端之间的第二高度，以将所述第一晶圆放置到所述第一顶针组的顶端，再进行对准所述第二加热盘的第二位置纠偏；以及下降到低于所述第二顶针组顶端的第三高度，以将所述第二晶圆放置到所述第二顶针组的顶端。
主权项：1.一种真空镀膜设备，其特征在于，包括：反应腔室，包括至少两个加热盘，其中，第一加热盘配置有较长的第一顶针组，第二加热盘配置有较短的第二顶针组；以及机械手，包括至少两个承载晶圆的指部，并被配置为：从前端模块获取第一晶圆和或第二晶圆；在高于所述第一顶针组顶端的第一高度，进行对准所述第一加热盘的第一位置纠偏；下降到介于所述第一顶针组顶端与所述第二顶针组顶端之间的第二高度，以将所述第一晶圆放置到所述第一顶针组的顶端，再进行对准所述第二加热盘的第二位置纠偏；以及下降到低于所述第二顶针组顶端的第三高度，以将所述第二晶圆放置到所述第二顶针组的顶端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 真空镀膜设备、真空镀膜方法及存储介质
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