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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：三维3D存储器包括：具有3D存储阵列的第一半导体结构，其中3D存储阵列包括多个存储平面；以及具有多个页缓冲器电路的第二半导体结构，其中每个存储平面具有在位线方向上取向的多个位线、存储平面边界以及位于第一半导体结构上的固定位置，每个页缓冲器电路具有页缓冲器电路边界，第一半导体结构和第二半导体结构以面对面的取向彼此键合，并且第一存储平面的第一存储平面边界和第一页缓冲器电路的第一页缓冲器电路边界彼此竖直对准，使得第一页缓冲器电路边界的第一部分在位线方向上从第一存储平面边界偏移以便与由第一存储平面边界限定的区不重叠。
主权项：1.一种三维3D存储器，包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构具有3D存储阵列，其中，所述3D存储阵列包括多个存储平面；以及第二半导体结构，所述第二半导体结构具有多个页缓冲器电路，其中，每个存储平面具有在位线方向上取向的多个位线、存储平面边界以及位于所述第一半导体结构上的固定位置，其中，每个页缓冲器电路具有页缓冲器电路边界，其中，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构以面对面的取向彼此键合，并且其中，第一页缓冲器电路的第一页缓冲器电路边界在所述3D存储阵列上的投影与由第一存储平面边界限定的区的第一部分部分地重叠，并且与由第二存储平面边界的第一部分限定的区部分地重叠，其中，所述第一存储平面边界和所述第二存储平面边界在第一方向上相邻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维非易失性存储器布局规划架构
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