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申请/专利权人：无锡先为科技有限公司
摘要：本申请公开了一种成膜装置，涉及MOCVD设备相关技术领域，用于解决顶板上的温度分布不均匀导致的温度控制效果差的问题。本申请提供的成膜装置具有一反应腔，成膜装置包括基座、盖板组件和加热装置，基座位于反应腔的底部用于承载基片；盖板组件位于反应腔的顶部且与基座相对而设；加热装置用来加热基座；盖板组件包括面向反应腔的顶板及与顶板相邻设置的冷却板组件，顶板具有一朝向反应腔的受热表面和一朝向冷却板组件的散热表面；顶板的散热表面与冷却板组件之间形成有流通间隙，流通间隙沿着顶板的中心向顶板的边缘方向具有多个不同的高度，所述高度为所述散热表面和所述冷却板组件之间的间隙距离。本申请用于对顶板的温度进行分区域控制。
主权项：1.一种成膜装置，具有至少一个用于在基片表面成膜的反应腔，其特征在于，所述成膜装置包括：基座，位于所述反应腔的底部、用于承载至少一基片；盖板组件，位于所述反应腔的顶部且与所述基座相对而设；加热装置，用来加热所述基座；所述盖板组件包括面向所述反应腔的顶板及与所述顶板相邻设置的冷却板组件，所述顶板具有一朝向所述反应腔的受热表面和一朝向所述冷却板组件的散热表面；所述顶板的所述散热表面与所述冷却板组件之间形成有流通间隙，所述流通间隙沿着所述顶板的中心向所述顶板的边缘方向具有多个不同的高度，所述高度为所述散热表面和所述冷却板组件之间的间隙距离；所述冷却板组件具有一朝向所述散热表面的冷却表面，在所述散热表面上形成有靠近所述顶板的中心的第一环形区域，所述顶板在所述第一环形区域与所述冷却表面之间形成所述流通间隙的第一间隙；在所述第一环形区域内设置有多个整流块，多个所述整流块环绕所述中心且间隔设置。
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权利要求：
百度查询： 无锡先为科技有限公司 成膜装置
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