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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序；为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，向前述基板供给原料气体和第1氮化气体，在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
主权项：1.一种成膜方法，其为在供给包含硅的原料气体和将所述硅进行氮化的第1氮化气体时，在表面具备直至氮化硅膜生长开始所需的孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板上，成膜该氮化硅膜的成膜方法，其中所述第2膜包括金属膜，所述成膜方法具备如下工序：向所述基板供给由具有Si-Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向所述基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给所述处理气体的工序与供给所述第2氮化气体的工序，形成覆盖所述第1膜和所述第2膜的氮化硅的薄层的工序；向所述氮化硅的薄层供给等离子体化的改性用气体，以使得所述氮化硅的薄层中的所述处理气体中的杂质释放并且使得所述氮化硅的薄层被固化的工序；和，向所述基板供给所述原料气体和所述第1氮化气体，在经改性的所述氮化硅的薄层上成膜所述氮化硅膜的工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置
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