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申请/专利权人：武汉拓材科技有限公司
摘要：本发明提出了一种区熔法制备高纯铟的装置，包括中空壳体以及处于中空壳体侧壁的进气口和出气口，所述中空壳体内还设有石墨料舟，石墨料舟通过加热组件进行加热，所述石墨料舟为两端封闭、顶端开口的U型槽状结构，所述石墨料舟的U型槽内壁均布若干气孔，所述气孔通过石墨料舟内的气道连通至进气管，所述进气管连接至进气口。本发明将蒸馏法制备的3~4N铟作为原料，可以很好的除去其中的杂质相Fe、Co、Ni、Cu等，得到纯度为6~8N的铟。
主权项：1.一种区熔法制备高纯铟的装置，包括中空壳体（1）以及处于中空壳体（1）侧壁的进气口（3）和出气口（4），所述中空壳体（1）内还设有石墨料舟（2），石墨料舟（2）通过加热组件（8）进行加热，其特征在于，所述石墨料舟（2）为两端封闭、顶端开口的U型槽状结构，所述石墨料舟（2）的U型槽内壁均布若干气孔（5），所述气孔（5）通过石墨料舟（2）内的气道（6）连通至进气管（7），所述进气管（7）连接至进气口（3）；所述石墨料舟（2）的底部设有磁铁块（9）；所述石墨料舟（2）的U型槽底部设有沉积槽（10），所述沉积槽（10）沿料轴长度方向延伸至两端的封端；所述磁铁块（9）处于所述沉积槽（10）槽底下方；所述沉积槽（10）内间隔均布有若干隔板（11）；所述气孔（5）包括第一气孔（51）和第二气孔（52），所述第一气孔（51）均布于所述沉积槽（10）的底面；所述第二气孔（52）均布于所述沉积槽（10）以外的石墨料舟（2）内壁上的其他区域；所述第二气孔（52）的设置密度大于所述第一气孔（51）的设置密度。
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权利要求：
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