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申请/专利权人：华为数字能源技术有限公司
摘要：一种超结逆导型绝缘栅双极晶体管及电动汽车电极控制器，超结逆导型绝缘栅双极晶体管包括：N型缓冲层10；形成于N型缓冲层10第一主面上的超结结构层20，超结结构层20包括沿第一方向a交替排列的P型漂移区201和N型漂移区202；形成于超结结构层20上的正面器件；形成于N型缓冲层10第二主面上的集电极层100，集电极层100包括沿第一方向a交替排列的P+集电极1001和N+集电极1002；形成于集电极层100上的集电极电极层110；超结结构层20内：对应N+集电极1002区域部分形成第一区域S1，对应P+集电极1001区域部分形成第二区域S2，且沿第二方向b，第一区域S1内每个漂移区长度L1与第二区域S2内每个漂移区长度L2不相等，以延长电极控制器工作在轻载状态时处于MOSFET模式时间，提升MCU的转换效率。
主权项：1.一种超结逆导型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：N型缓冲层；形成于所述N型缓冲层的第一主面上的超结结构层，所述超结结构层包括多个漂移区，所述多个漂移区中一部分为P型漂移区，另一部分为N型漂移区，所述P型漂移区和所述N型漂移区沿第一方向交替排列，其中，所述第一方向与所述N型缓冲层指向所述超结结构层方向形成的第二方向垂直；形成于所述超结结构层上的超结逆导型绝缘栅双极晶体管的正面器件；形成于所述N型缓冲层的第二主面上的集电极层，所述集电极层包括P+集电极和N+集电极，所述P+集电极和所述N+集电极沿第一方向交替排列；形成于所述集电极层上的集电极电极层；所述超结结构层内：对应所述N+集电极区域部分形成第一区域，对应所述P+集电极区域部分形成第二区域；且沿所述第二方向，所述第一区域内每个漂移区的长度与所述第二区域内每个漂移区的长度不相等；第二方向，第一区域内的各个漂移区和或第二区域内的各个漂移区具有中断处。
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