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申请/专利权人：深圳市优恩半导体有限公司
摘要：本发明公开一种TVS二极管器件、制造方法与装置，器件包括由导电型半导体衬底、以刻蚀外延PN叠层形成的第一沟槽分离出的两PN叠块、覆盖该第一沟槽开口并连接两PN叠块的第一表面隔离层、设置在两PN叠块的输入输出电极，导电型半导体衬底以反面刻蚀形成有对准第一沟槽的第二沟槽或晶背薄化的方式分离为两衬底块，底部互连电极设置在两衬底块上，输入输出电极间形成延伸穿过所述导电型半导体衬底以所述底部互连电极互连的U形PN结串连电路。本发明具有器件微小化、省略图案化离子植入的效果。在示例中，器件还包括覆盖该第二沟槽开口或该第一沟槽底部并连接两衬底块的第二表面隔离层，第一沟槽或与第二沟槽内可不填满以形成气室，有效阻隔两PN叠块的短接。
主权项：1.一种TVS二极管器件，其特征在于，包括：导电型半导体衬底；NPN叠层，外延形成在所述导电型半导体衬底上；所述NPN叠层刻蚀形成有第一沟槽，所述第一沟槽将所述NPN叠层分离为第一NPN叠块与第二NPN叠块；第一表面隔离层，形成在所述第一NPN叠块与所述第二NPN叠块的部分表面上，所述第一表面隔离层遮盖所述第一沟槽的开口，以连接所述第一NPN叠块与所述第二NPN叠块；输入电极与输出电极，分别设置在所述第一NPN叠块与所述第二NPN叠块上；所述导电型半导体衬底分离为第一衬底块与第二衬底块；底部互连电极，设置在所述第一衬底块与所述第二衬底块上；其中，基于包括所述第一沟槽的隔离，所述输入电极与所述输出电极之间形成延伸穿过所述导电型半导体衬底以所述底部互连电极互连的U形PN结串连电路；所述导电型半导体衬底反面刻蚀形成有第二沟槽，使所述导电型半导体衬底分离为第一衬底块与第二衬底块，所述第二沟槽对准所述第一沟槽；所述TVS二极管器件还包括第二表面隔离层，形成在所述第一衬底块与所述第二衬底块的部分表面上，所述第二表面隔离层遮盖所述第二沟槽的开口，以连接所述第一衬底块与所述第二衬底块。
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权利要求：
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