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申请/专利权人：嘉善复旦研究院;复旦大学
摘要：本发明提供了一种碳化硅器件及其制造方法，碳化硅器件包括N+型碳化硅衬底；设于所述N+型碳化硅衬底上的N型漂移区；设于所述N型漂移区上的阶梯形栅极结构，所述阶梯形栅极结构的底部具有阶梯形P型屏蔽区；设于所述N型漂移区上的源极金属层；设于所述N+型碳化硅衬底底部的漏极金属层。本发明提供的碳化硅器件及其制造方法，其制备工艺简单，且制备出的碳化硅器件降低了栅极氧化层附近的电场，提高了碳化硅器件使用的可靠性。
主权项：1.一种碳化硅器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供N+型碳化硅衬底；在所述N+型碳化硅衬底上形成N型漂移区；在所述N型漂移区上形成阶梯形栅极结构，以及在所述阶梯形栅极结构的底部形成阶梯形P型屏蔽区；在所述N型漂移区上形成源极金属层；在所述N+型碳化硅衬底的底部形成漏极金属层；所述在所述N+型碳化硅衬底上形成N型漂移区之后，包括：在所述N型漂移区上形成P型体区；在所述P型体区上形成相接触的P+源区和N+源区，且所述P+源区位于所述N+源区两侧；所述在所述N型漂移区上形成阶梯形栅极结构，以及在所述阶梯形栅极结构的底部形成阶梯形P型屏蔽区，包括：在所述N型漂移区上开设深槽，所述深槽从所述N+源区延伸至所述N型漂移区；在所述深槽内沉积第一氧化层；刻蚀所述第一氧化层，以形成第一通道，所述第一通道显露出所述深槽的底部；通过所述第一通道在所述深槽的底部形成第一P型屏蔽区；在所述第一通道内沉积第二氧化层；在所述深槽的两侧刻蚀出浅槽；在所述浅槽的底部形成第二P型屏蔽区；去除所述第一氧化层和所述第二氧化层；在所述深槽和所述浅槽内沉积栅氧化层；在所述栅氧化层上间隔的刻蚀出第二沟槽，所述第二沟槽位于所述浅槽处的栅氧化层中；在相邻的两个所述第二沟槽内沉积多晶硅，以分别形成第一多晶硅层和第二多晶硅层；其中，所述深槽和所述浅槽构成第一沟槽；所述第一P型屏蔽区和所述第二P型屏蔽区不接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 嘉善复旦研究院 复旦大学 碳化硅器件及其制造方法
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