龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：力旺电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种具叉型片晶体管的反熔丝型一次编程存储器，具有一第一存储单元。第一存储单元至少包括一反熔丝晶体管。反熔丝晶体管为叉型片晶体管，且反熔丝晶体管包括：一第一纳米线、一第一栅极结构、一第一漏源结构与一第二漏源结构。第一纳米线的一第一部分表面接触于一绝缘墙，第一纳米线的一第二部分表面接触于第一栅极结构。第一栅极结构包括：一第一间隙壁、一第二间隙壁、一第一栅极介电层一第一栅极层。第一漏源结构电性接触于第一纳米线的第一端。第二漏源结构电性接触于第一纳米线的第二端。
主权项：1.一种反熔丝型一次编程存储器，具有第一存储单元，且该第一存储单元包括：半导体基板；绝缘墙，插入该半导体基板中；第一纳米线，该第一纳米线的第一部分表面接触于该绝缘墙的第一侧；第一栅极结构，该第一栅极结构接触于该第一纳米线的第二部分表面；其中，该第一栅极结构包括第一间隙壁、第二间隙壁、第一栅极介电层与第一栅极层；该第一栅极层电连接至反熔丝控制线；该第一栅极介电层接触于该第一纳米线的中间区域；该第一栅极层接触该第一栅极介电层，且该第一栅极层位于该半导体基板上方；该第一纳米线的第一端接触于该第一间隙壁，且被该第一间隙壁所支撑；该第一纳米线的第二端接触于该第二间隙壁，且被该第二间隙壁支撑；以及，该第一间隙壁与该第二间隙壁位于该半导体基板上方；第一漏源结构，形成于该半导体基板上方，并且电性接触于该第一纳米线的该第一端；第二漏源结构，形成于该半导体基板上方，并且电性接触于该第一纳米线的该第二端；其中，该第一纳米线、该第一栅极结构、该第一漏源结构与该第二漏源结构形成第一反熔丝晶体管，且该第一反熔丝晶体管为叉型片晶体管；以及第一选择晶体管，该第一选择晶体管的第一漏源端电连接至该第一反熔丝晶体管的该第二漏源结构，该第一选择晶体管的栅极端电连接至字线，且该第一选择晶体管的第二漏源端电连接至第一位线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力旺电子股份有限公司 具叉型片晶体管的反熔丝型一次编程存储器
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号