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申请/专利权人：罗姆股份有限公司
摘要：本揭示涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。谋求提高半导体装置的耐压。半导体装置具备：栅极沟槽；场板电极及栅极电极，形成于栅极沟槽内；及绝缘层，将场板电极及栅极电极互相分隔。半导体层包含n型漂移区域、及形成于漂移区域上的p型主体区域。绝缘层包含：第1绝缘层，覆盖场板电极；及第2绝缘层，于第1绝缘层上形成在与漂移区域相邻的位置，相对介电常数高于第1绝缘层。第2绝缘层在Z方向上，设置在场板电极的底面与栅极电极的底面之间。
主权项：1.一种半导体装置，具备：半导体层，具有第1面、及与所述第1面为相反侧的第2面；沟槽，形成于所述半导体层的所述第2面，具有侧壁及底壁，且从所述半导体层的厚度方向观察时，沿第1方向延伸；场板电极，形成于所述沟槽内；栅极电极，包含在所述沟槽内至少一部分与所述场板电极对向的底面；及绝缘层，将所述场板电极及所述栅极电极互相分隔，且覆盖所述沟槽的所述侧壁及所述底壁；且所述半导体层包含：第1导电型的漂移区域；第2导电型的主体区域，形成于所述漂移区域上；及第1导电型源极区域，形成于所述主体区域上，与所述场板电极为相同电位；所述绝缘层包含：第1绝缘层，覆盖所述沟槽的所述侧壁及所述底壁，且覆盖所述场板电极；及第2绝缘层，于所述第1绝缘层上形成在与所述漂移区域相邻的位置，相对介电常数高于所述第1绝缘层；所述场板电极包含与所述沟槽的所述底壁对向的底面，所述第2绝缘层在所述沟槽的深度方向上，设置在所述场板电极的底面与所述栅极电极的底面之间。
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权利要求：
百度查询： 罗姆股份有限公司 半导体装置及半导体装置的制造方法
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