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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请涉及用于执行编程操作的半导体存储器装置。本文可以提供一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置可以包括第一单元串和第二单元串。第一单元串联接到第一位线并且包括第一漏极选择晶体管、多个存储器单元和第一源极选择晶体管。第二单元串联接到第一位线并且包括第二漏极选择晶体管、多个存储器单元和第二源极选择晶体管。多个数据位可以存储在由第一单元串中所包括的存储器单元当中的联接到第一字线的第一存储器单元和第二单元串中所包括的存储器单元当中的联接到第一字线的第二存储器单元形成的存储器单元组中。第一存储器单元和第二存储器单元中的每一个中所存储的数据位的数量可以为非整数。
主权项：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：第一单元串，该第一单元串联接到第一位线，所述第一单元串包括第一漏极选择晶体管、多个存储器单元和第一源极选择晶体管；以及第二单元串，该第二单元串联接到所述第一位线，所述第二单元串包括第二漏极选择晶体管、多个存储器单元和第二源极选择晶体管，其中，多个数据位存储在由所述第一单元串中所包括的所述多个存储器单元当中的联接到第一字线的第一存储器单元和所述第二单元串中所包括的所述多个存储器单元当中的联接到所述第一字线的第二存储器单元形成的存储器单元组中，并且其中，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的每一个中所存储的数据位的数量为非整数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 用于执行编程操作的半导体存储器装置
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