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申请/专利权人：TCL华星光电技术有限公司
摘要：本申请提供一种半导体器件和电子器件；该半导体器件通过使有源层至少包括叠层设置的第一子层和第二子层，并使第一子层中的铟元素的含量大于第二子层中的铟元素的含量，使得第一子层的膜层阻值降低，降低第一子层与第一电极或者第二电极的接触阻抗，且第二子层可以保证薄膜晶体管的器件稳定性，从而兼顾半导体器件的稳定性以及降低有源层与电极的接触阻抗的效果。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；第一电极，设置于所述衬底一侧；有源层，设置于所述第一电极远离所述衬底的一侧；第二电极，设置于所述有源层远离所述第一电极的一侧；其中，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物，所述有源层至少包括叠层设置的第一子层和第二子层，所述第一子层中的铟元素的含量大于所述第二子层中的铟元素的含量，所述第一子层与所述第一电极和所述第二电极中的一个接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： TCL华星光电技术有限公司 半导体器件和电子器件
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