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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明公开一种电荷捕获型存储器及其制备方法、测试方法，涉及存储器技术领域，用于提高电荷捕获型存储器的工作效率，并提高器件在辐照环境中工作时的抗辐照性能。所述电荷捕获型存储器包括：半导体衬底；沿半导体衬底的厚度方向，依次形成在半导体衬底上的阻挡层、捕获层和遂穿层；以及间隔设置在遂穿层上的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极和所述第二电极之间形成有空气沟道。所述电荷捕获型存储器的制备方法用于制备上述技术方案所述的电荷捕获型存储器。
主权项：1.一种电荷捕获型存储器，其特征在于，所述电荷捕获型存储器包括：半导体衬底；沿所述半导体衬底的厚度方向，依次形成在所述半导体衬底上的阻挡层、捕获层和遂穿层；以及间隔设置在所述遂穿层上的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极和所述第二电极之间形成有空气沟道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种电荷捕获型存储器及其制备方法、测试方法
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