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申请/专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种发光二极管的外延结构及其制造方法，发光二极管的外延结构包括自下向上的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反，所述有源层包括周期性交替堆叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为超晶格结构，所述超晶格结构包括周期性交替堆叠的第一二元合金材料层和第二二元合金材料层。本发明的技术方案使得能够有效抑制发光二极管中的合金散射现象，从而提高发光二极管的光电性能。
主权项：1.一种发光二极管的外延结构，其特征在于，包括自下向上的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反，所述有源层包括周期性交替堆叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为超晶格结构，所述超晶格结构包括周期性交替堆叠的第一二元合金材料层和第二二元合金材料层。
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百度查询： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 发光二极管的外延结构及其制造方法
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