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申请/专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
摘要：本公开涉及一种电气过应力检测装置。所公开的技术总体涉及电气过应力保护装置，更具体地涉及用于检测半导体装置中的电气过应力事件的电气过应力监测装置。在一个方面，被配置为监测电气过应力EOS事件的装置包括一对间隔的导电结构，所述导电结构被配置为响应于EOS事件而电气地起弧，其中间隔的导电结构由一材料形成并且具有一形状，使得起弧导致间隔的导电结构的形状的可检测变化，并且其中该装置被配置为使得间隔的导电结构的形状变化是可检测的，以用作EOS监测器。
主权项：1.一种被配置为监测电气过应力EOS事件的装置，所述装置包括：间隔的导电结构对，所述间隔的导电结构对被配置为响应于EOS事件而电气起弧，其中间隔的导电结构由一材料形成并且具有使得起弧引起间隔的导电结构的形状的可检测变化的形状，并且其中所述装置被配置为使得间隔的导电结构的形状的变化可检测以用作EOS监测器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 亚德诺半导体国际无限责任公司 电气过应力检测装置
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